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高过压
MDT 系列采用高纯度单晶硅材质，特性优于市场上通用的复合硅、扩散硅。膜面与底座采取硅-硅原子级键合，从而提供优于传统的硅-玻璃键合技术的静压、过压特性，同时在感应层与基层中加入 μm 级厚度的惰性材质悬浮层，减小应力影响并提高绝缘特性。 
高温度抑制
MDT 系列采用经典的惠斯通电桥原理，但在桥路设计上创新采用了双惠斯通电桥，在桥路上实现“双梁”。该双梁桥路桥阻温度特性互补，当桥路发生自热变化或噪声干扰时，双梁桥路实现自补偿，大幅提高芯片的抗干扰能力与长期稳定性。MEMS 硅传感器芯片都需要金属化工艺，将电桥桥阻内部引线引出，并形成一定面积的金属绑定区，此金属线与金属绑定区也将对硅感应膜面产生应力影响。MDT 采用全对称的“梅花镜像”式金属化布局， 并将金属化部分布局在芯片的边缘，金属化部分在温度与压力变化时，变化均匀、对称抵消。阻值 10kΩ 的桥路电阻可以有效控制温度影响，保证输出信号高信噪比。
高稳定性
MDT 系列具有高稳定性，室温下连续采集1000 小时传感器零点压力信号稳定。注意 200 小时和 650 小时处仅仅是数据记录中断，电源和环境温度没有变化。
MDT 系列漏电流为100nA@10V，偏移电压为±3mV/V（市场 主流芯片为±10mV/V），TCR为800ppm（市场主流芯片为 2600ppm），桥阻为10KΩ，在设计量程范围内灵敏度可达到（20±5） mV/V，非线性 ＜0.15%FS，当施加4倍设计量程压力后，灵敏度可达80mV/V，非线性＜0.8%FS。
